圖1、三星發(fā)布直到4nm的全面完整的芯片工藝演進路線圖

　　三星電子已經(jīng)宣布了一個全面的芯片鑄造工藝技術演進路線圖，以幫助客戶設計和制造更快，更節(jié)能的芯片。從超大型數(shù)據(jù)中心到物聯(lián)網(wǎng)(IoT)，行業(yè)所呈現(xiàn)的開發(fā)智能的，永遠在線的連接設備的趨勢越來越明顯，這將會使得消費者以新的和強大的方式獲得前所未有的信息?？紤]到這一點，三星在其最新的工藝技術公布了業(yè)界領先的8nm，7nm，6nm，5nm，4nm以及18nm的FD-SOI的芯片工藝演進路線圖。

　　圖2、連接設備的急劇增加推動了芯片工藝的發(fā)展

　　圖3、三星在三星foundry論壇上發(fā)布完整的foundry工藝技術演進路線

　　三星在最新的三星foundry論壇上推出的最新foundry工藝技術和解決方案，其中包括：

　　FD-SOI(完全耗盡 - 絕緣體上的硅，F(xiàn)ully Depleted – Silicon on Insulator)：適用于IoT應用，三星將通過結合RF(射頻)和eMRAM(嵌入式磁隨機存取存儲器，embedded Magnetic Random Access Memory)選項逐步將其28FDS技術擴展到更廣泛的平臺中。 18FDS是三星FD-SOI路線圖的下一代工藝節(jié)點，具有增強的PPA(電源/性能/面積，Power/Performance/Area)性能。

　　圖4、FD-SOI

　　8LPP(8 nm低功率Plus，8 nm Low Power Plus)：8LPP在生產(chǎn)工藝轉換為EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技術之前，具有最大的競爭優(yōu)勢。結合三星10nm技術的關鍵工藝流程創(chuàng)新，與10LPP相比，8LPP在性能和門電路密度方面提供了額外的優(yōu)勢。

　　7LPP(7 nm低功率Plus，7 nm Low Power Plus)：7LPP將是第一個使用EUV光刻解決方案的半導體工藝技術。通過三星和ASML的合作，開發(fā)出了250W最大的EUV源功率，這是EUV插入到大量生產(chǎn)中的最重要的里程碑。 EUV光刻技術的部署將打破摩爾定律擴展的障礙，為單一的納米半導體技術的發(fā)展鋪平了道路。

　　6LPP(6 nm低功率Plus，6 nm Low Power Plus)：6LPP將采用三星獨特的智能縮放(Smart Scaling)解決方案，將其納入基于EUV的7LPP技術之上，可實現(xiàn)更大面積擴展和超低功耗優(yōu)勢。

　　5LPP(5納米低功率Plus，5 nm Low Power Plus)：5LPP通過實施下一代4LPP工藝生產(chǎn)技術的創(chuàng)新，擴展了FinFET結構的物理尺寸限制，以實現(xiàn)更好的縮放和更低的功耗。

　　4LPP(4 nm低功率Plus)：4LPP將成為下一代器件架構 - MBCFETTM結構(Multi Bridge Channel FET)的第一個實現(xiàn)的產(chǎn)品。 MBCFETTM是三星獨特的GAAFET(Gate All Around FET)技術，它使用Nanosheet器件來克服FinFET架構的物理尺寸和性能限制。

　　圖5、除了智能手機外三星電子還是一個全面的芯片foundry解決方案提供商

　　三星Foundry的先進工藝技術路線圖證明了其客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴關系的協(xié)同性。包含上述工藝技術將使新設備呈現(xiàn)出爆炸式的增長，并將以前所未有的方式來連接消費者。