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MACOM宣布推出用于大規(guī)模MIMO 5G的GaN-on-Si MMIC功率放大器

2018-03-01 14:24 萬物云聯(lián)網(wǎng)

導讀:MAGM系列MMIC功率放大器專為主流5G基站架構量身定制,可滿足并超越64個元件的大規(guī)模MIMO天線陣列的功率密度和散熱要求,并在縮小體積級別的生產(chǎn)成本結構方面和超越LDMOS技術的性能以及競爭的GaN-on-SiC技術無法實現(xiàn)的供應能力。

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  圖1、MACOM宣布推出用于大規(guī)模MIMO 5G的GaN-on-Si MMIC功率放大器

  MACOM發(fā)布其新型MAGM系列硅上氮化鎵(GaN-on-Si)MMIC功率放大器針對面向5G無線基站基礎設施的大規(guī)模MIMO(Massive MIMO)天線系統(tǒng)進行了優(yōu)化。這些基于硅上氮化鎵(GaN-on-Si)的氮化鎵功率放大器在全集成MMIC封裝中以縮減批量生產(chǎn)成本水平的類似LDMOS的成本結構提供GaN性能,以實現(xiàn)簡化的,經(jīng)濟高效的5G基站制造。與傳統(tǒng)LDMOS技術相比,放大器覆蓋Band 42和Band 43,具有平坦的功率和高功率效率。

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  圖2、GaN功放逐漸成為基站射頻功放的主流

  MAGM系列MMIC功率放大器專為主流5G基站架構量身定制,可滿足并超越64個元件的大規(guī)模MIMO天線陣列的功率密度和散熱要求,并在縮小體積級別的生產(chǎn)成本結構方面和超越LDMOS技術的性能以及競爭的GaN-on-SiC技術無法實現(xiàn)的供應能力。采用MACOM專有寬帶電路拓撲設計,PA使用現(xiàn)成的數(shù)字預失真(“DPD”)系統(tǒng)滿足嚴格的5G TDD線性要求。與早期的多芯片氮化鎵(GaN)單元模塊相比,通過降低封裝和設計復雜性,GaN基Si(GaN-on-Si)的成本進一步降低。憑借MACOM與ST Microelectronics合作提供的規(guī)模制造能力的理想性能和成本,MACOM的硅上氮化鎵(GaN-on-Si)解決方案預計將能夠顯著改善客戶產(chǎn)品的上市時間。

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  圖3、MACOM的5G產(chǎn)品

  MACOM的MAGM-103436-040AOP是MAGM系列中的第一款產(chǎn)品,現(xiàn)在正在向合格客戶進行送樣測試,并計劃于2018年下半年投入生產(chǎn)。

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  圖4、TRX的典型架構

  在2018年世界移動通信大會上,來自MACOM的無線基礎設施專家正在討論5G的MAGM功率放大器和其他支持技術。

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  圖5、GaN技術應用日漸普及