1996 年，在英特爾任期最后一年仍強(qiáng)勢(shì)主導(dǎo)建立晶圓制造廠的傳奇 CEO 格魯夫，可能無(wú)論如何都想不到，25 年后，英特爾在芯片制造上不僅出現(xiàn)了重大失誤，還將一部分制造業(yè)務(wù)外包了出去。

按照英特爾內(nèi)部一開始的規(guī)劃，7nm 芯片應(yīng)該在 2021 年推出。但現(xiàn)在，你要在 2022 年底或 2023 年初才能看到這枚芯片。對(duì)比之下，他在 PC 市場(chǎng)的老對(duì)手 AMD 早在 2019 年就宣布，由臺(tái)積電代工的 Zen 架構(gòu)第四代 5nm 處理器將會(huì)在 2021 年推出。

因此，制造工藝明顯出現(xiàn)了問(wèn)題的英特爾，不得不“求助”于像臺(tái)積電這樣的芯片制造代工廠。

相反，臺(tái)積電 5nm 下半年將強(qiáng)勁成長(zhǎng)，3nm 預(yù)計(jì) 2022 年量產(chǎn)，并已研發(fā) 2nm，工研院產(chǎn)科國(guó)際所研究總監(jiān)楊瑞臨認(rèn)為，臺(tái)積電制程 5 年內(nèi)將稱霸晶圓代工業(yè)，3D 封裝是新挑戰(zhàn)。

在半導(dǎo)體行業(yè)，技術(shù)門檻，某種程度上決定著收入門檻，制造工藝更是如此。歷史上，制程工藝升級(jí)的每一個(gè)重要技術(shù)節(jié)點(diǎn)，都伴隨著大量企業(yè)拔地而起，也會(huì)有大量企業(yè)就此消亡。就連臺(tái)積電在走到 0.15 微米制程節(jié)點(diǎn)，因沒(méi)有及時(shí)掌握銅布線技術(shù)，導(dǎo)致大量訂單被搶，遭受過(guò)外界自成立以來(lái)的最大質(zhì)疑。

臺(tái)積電繼 7nm 制程于 2018 年領(lǐng)先量產(chǎn)，并在強(qiáng)效版 7nm 制程搶先導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)，5nm 制程在今年持續(xù)領(lǐng)先量產(chǎn)，下半年將強(qiáng)勁成長(zhǎng)，貢獻(xiàn)全年約 8%業(yè)績(jī)。臺(tái)積電 3nm 制程技術(shù)開發(fā)順利，將沿用鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）技術(shù)，預(yù)計(jì) 2022 年下半年量產(chǎn)，臺(tái)積電有信心 3nm 制程屆時(shí)仍將是半導(dǎo)體業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)。

為確保制程技術(shù)持續(xù)領(lǐng)先，臺(tái)積電 2019 年已領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研發(fā) 2nm 制程技術(shù)，臺(tái)積電目前尚未宣布量產(chǎn)時(shí)間，不過(guò)，依臺(tái)積電每 2 年推進(jìn)一個(gè)世代制程技術(shù)推算，2nm 可望于 2024 年量產(chǎn)。

楊瑞臨分析，盡管臺(tái)積電 2nm 制程將自過(guò)去的 FinFET 技術(shù)，改采環(huán)繞閘極（GAA）技術(shù)，臺(tái)積電 2nm 制程仍可望維持領(lǐng)先地位，以目前情況看來(lái)，臺(tái)積電制程技術(shù)將再稱霸晶圓代工業(yè)至少 5 年。

只是制程微縮技術(shù)即將面臨物理瓶頸，且價(jià)格成本越來(lái)越高，楊瑞臨說(shuō)，3D 堆疊先進(jìn)封裝技術(shù)將更趨重要，相關(guān)設(shè)備與材料問(wèn)題都有待解決，這也是臺(tái)積電的新挑戰(zhàn)。

楊瑞臨表示，臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域著墨多時(shí)，自 2016 年推出 InFO 封裝技術(shù)后，至 2019 年已發(fā)展至第 5 代整合型扇出層疊封裝技術(shù)（InFO-PoP）及第 2 代整合型扇出暨基板封裝技術(shù)（InFO_oS），并開發(fā)第 5 代 CoWoS。

此外，今年 7 月份，他們的營(yíng)收為 1059.63 億新臺(tái)幣，折合約 36.06 億美元。他們?cè)?6 月份的營(yíng)收為 1208.78 億新臺(tái)幣，7 月份的營(yíng)收較之是減少了 149.15 億新臺(tái)幣，環(huán)比下滑 12.3%。