據(jù)高能物理研究所，近日，中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所科研團(tuán)隊(duì)研制出具有良好抗輻照性能的硅超快傳感器。

該傳感器基于低增益雪崩放大二極管（Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。經(jīng) ATLAS 合作組與 RD50 合作組測(cè)試，該傳感器是目前抗輻照性能最好的 LGAD 硅超快傳感器，達(dá)到 ATLAS 實(shí)驗(yàn)高顆粒度高時(shí)間分辨探測(cè)器項(xiàng)目（High Granularity Timing Detector，HGTD）的要求。

據(jù)介紹，該研究在原有 LGAD 硅超快傳感器工藝上增加了碳摻雜工藝，降低了輻照引起硅傳感器中硼摻雜的移除速率，提高了抗輻照性能。

該項(xiàng)目研發(fā)的硅超快傳感器，超快讀出芯片和大面積超快探測(cè)器集成等均是國(guó)際前沿的新技術(shù)。以高能所為主體的中國(guó)組將承擔(dān) HGTD 項(xiàng)目超過(guò) 1/3 的傳感器研制，近一半的探測(cè)器模塊研制，與全部的前端電路板研制。

據(jù)了解，該項(xiàng)目得到國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)、核探測(cè)與核電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等的支持。