TechPowerUp 報(bào)道稱：在 3 月 21 - 24 日舉辦的英偉達(dá) GPU 技術(shù)大會(huì)上，SK 海力士介紹了該公司最新研發(fā)的 HBM3 高帶寬顯存。作為 SK 海力士的第四代 HBM 產(chǎn)品，其在每個(gè)堆棧上使用了超過(guò) 8000 個(gè)硅通孔（TSV）。算上從 HBM2E 時(shí)代的 8-Hi 提升到 HBM3 的 12-Hi 堆棧，TSV 總數(shù)就超過(guò)了 10 萬(wàn)的級(jí)別。

　　視頻截圖（來(lái)自：SK Hynix）

　　在“完全堆疊”狀態(tài)下，HBM3 高帶寬顯存可輕松達(dá)成 24GB 的容量，輔以較 HBM2E 翻倍的 16 通道架構(gòu) @ 6.4 Gbps 頻率。

　　作為目前業(yè)內(nèi)最為領(lǐng)先的高帶寬顯存產(chǎn)品，其有望進(jìn)一步加速我們的數(shù)字生活體驗(yàn) —— 比如近年來(lái)大熱的 L4 / L5 級(jí)別的自動(dòng)駕駛汽車系統(tǒng)。

　　此外隨著數(shù)字化加速推動(dòng)高性能計(jì)算（HPC）、人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）、以及高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）市場(chǎng)的增長(zhǎng)，HBM3 有望在這一轉(zhuǎn)型過(guò)程中發(fā)揮更大的作用。

　　顯然，HBM3 不僅是一款高性能產(chǎn)品，還有望化解全球數(shù)據(jù)中心面臨的共同問(wèn)題 —— 目前服務(wù)器內(nèi)存的功耗開銷，約占總體的 20% 左右。預(yù)計(jì)到 2025 年，還可進(jìn)一步上升至 35% 。

　　若順利向 HBM3 轉(zhuǎn)型，預(yù)計(jì)我們可到 2030 年將溫室氣體排放減少約 83 萬(wàn)噸。與此同時(shí)，SK Hynix 推出了 Memory Forest 。

　　作為該公司的最新舉措之一，其展示了 SK 海力士致力于保護(hù)環(huán)境、創(chuàng)建可持續(xù)和創(chuàng)新的內(nèi)存生態(tài)系統(tǒng)的承諾的決心。