據(jù)日經(jīng)亞洲 3報道，軟銀正攜手英特爾開發(fā)一種全新 AI 專用內(nèi)存芯片，其耗電量有望大幅低于當前芯片，為日本構(gòu)建節(jié)能高效的 AI 基礎(chǔ)設(shè)施奠定基礎(chǔ)。

　　雙方計劃設(shè)計一種新型堆疊式 DRAM 芯片，采用不同于現(xiàn)有高帶寬內(nèi)存（HBM）的布線方式，預(yù)期將電力消耗減少約一半。

　　負責該項目的是新成立的公司 Saimemory，所用技術(shù)來自英特爾，并結(jié)合東京大學等日本高校的專利成果。Saimemory 將專注于芯片設(shè)計與專利管理，制造交由外部代工廠負責。

　　項目目標是在兩年內(nèi)完成原型，再評估是否投入量產(chǎn)，爭取在 21 世紀 20 年代實現(xiàn)商業(yè)化，整體投資預(yù)計達 100 億日元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 5 億元人民幣）。

　　軟銀為主要投資方，出資 30 億日元（現(xiàn)匯率約合 1.5 億元人民幣），日本理化學研究所與神港精機也在考慮資金或技術(shù)上的參與。此外，項目方也計劃申請政府支持。

　　軟銀希望將這款新型存儲器用于其 AI 訓練數(shù)據(jù)中心。隨著 AI 在企業(yè)管理等高階領(lǐng)域應(yīng)用的深入，對高性能、高效率數(shù)據(jù)處理能力的需求不斷提升，而這種芯片將有望以更低成本構(gòu)建高質(zhì)量的數(shù)據(jù)中心。