《韓國經(jīng)濟日報》今日報道稱，三星電子計劃投入約 1.1 萬億韓元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 54.92 億元人民幣）引進兩臺最新的 High-NA 雙級極紫外（EUV）光刻機。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子此前僅在京畿道園區(qū)引進過一臺用于研發(fā)的 High-NA EUV 設(shè)備，此次引進的機器將用于“產(chǎn)品量產(chǎn)”，尚屬首次。三星電子計劃在年內(nèi)引進一臺，并在明年上半年再引進一臺。

Twin Scan EXE:5200B 是第二款 0.55 數(shù)值孔徑（NA）或“High-NA”極紫外光刻系統(tǒng)，也是 TWINSCAN EXE:5000 的升級版，在提升對準(zhǔn)精度的同時顯著提高了生產(chǎn)效率，被視為生產(chǎn)下一代半導(dǎo)體芯片和高性能 DRAM 的必備設(shè)備。

相較于 NXE 系統(tǒng)，EXE:5200B 成像對比度提升 40%，分辨率達 8nm，使芯片制造商能夠通過單次曝光實現(xiàn)比 TWINSCAN NXE 系統(tǒng)精細(xì) 1.7 倍的電路刻蝕，從而將晶體管密度提升至原來的 2.9 倍。這有助于降低大規(guī)模生產(chǎn)中的工藝復(fù)雜性，提高客戶晶圓廠的晶圓產(chǎn)量。